半导体结构及其制造方法

摘要

一种结构包括单晶片，具有在第一厚度的第一区域中形成的第一子集电极和在与第一厚度不同的第二厚度的第二区域中形成的第二子集电极。还旨在一种方法，该方法包括提供包括第一层的衬底并且在第一层中形成第一掺杂区域。该方法还包括在第一层上形成第二层并且在第二层中形成第二掺杂区域。第二掺杂区域以不同于第一掺杂区域的深度形成。该方法还包括在第一层中形成第一通孔并且在第二层中形成第二通孔以连接第一通孔到表面。

主权项

1.一种半导体结构，包括单晶片，具有在第一厚度的第一区域中形成的第一子集电极和在与所述第一厚度不同的第二厚度的第二区域中形成的第二子集电极，其中所述第二区域在所述第一区域之上；从所述第一子集电极延伸到所述第二区域的表面的通孔和从所述第二子集电极延伸到所述第二区域的表面的通孔；在所述第二区域中形成的浅隔离结构，以及深隔离结构，其中所述深隔离结构穿过所述第一区域和所述第二区域延伸到下面的衬底；在所述第二区域上形成的P+膜；以及从所述P+膜延伸到层间介质层的表面的金属接触，其中所述层间介质层形成在所述P+膜上。