发明名称 | 用于相移式掩膜的原位平衡 | ||
摘要 | 本发明描述了一种形成掩膜的方法,包括:提供衬底,所述衬底具有第一厚度;在该衬底上形成平衡层,所述平衡层具有第二厚度;在该平衡层上形成吸收层,所述吸收层具有被第三区域从第二区域分隔开的第一区域;去除所述第一区域和第二区域中的吸收层;去除所述第二区域中的平衡层;以及将所述第二区域中的所述衬底减小到第三厚度。本发明还描述了一种掩膜,包括:吸收层,所述吸收层具有第一开口和第二开口,所述第一开口露出设置在具有第一厚度的所述衬底上的平衡层,所述第二开口露出具有第二厚度的所述衬底。 | ||
申请公布号 | CN100549817C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
申请号 | CN02813250.5 | 申请日期 | 2002.08.22 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 江·陶;齐德·钱 |
分类号 | G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/00(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
主权项 | 1.一种制造交替相移式掩膜的方法,包括:提供衬底,所述衬底具有第一厚度;在所述衬底上形成平衡层,所述平衡层具有第二厚度;在所述平衡层上形成吸收层;对所述吸收层进行构图以形成被第三区域从第二区域分隔开的第一区域;去除所述第一区域和所述第二区域中的所述吸收层;去除所述第二区域中的所述平衡层;以及将所述第二区域中的所述衬底减小到第三厚度。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |