半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。

主权项

1.一种半导体器件，包括：像素矩阵电路，设置在衬底上，且包括薄膜晶体管；和设置在所述衬底上的处理器电路，所述处理器电路包括P沟道薄膜晶体管和N沟道薄膜晶体管；每个所述P沟道薄膜晶体管和所述N沟道薄膜晶体管包括：结晶硅膜的有源层，形成在所述衬底上；栅绝缘膜，形成在所述有源层上；和在所述栅绝缘膜上的栅极；其中，所述有源层含起促进晶化作用的金属元素，所述金属元素的浓度不大于1×1018原子/立方厘米；且所述N沟道薄膜晶体管的表示电特性的S值在80±30mV/dec内和所述P沟道薄膜晶体管的表示电特性的S值在80±45mV/dec内，所述有源层是通过聚集平行于所述衬底的针形或柱形晶体而构成的晶体结构体；且所有所述针形或柱形晶体沿一个方向延伸，并且其方向被控制成与一沟道方向一致。