| 发明名称 | 具有Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>缓冲层的硅衬底Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜磁控溅射制备方法 | ||
| 摘要 | 具有Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>缓冲层的硅衬底Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜磁控溅射制备方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术通常采用分子束外延、金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石、氮化镓衬底上制备Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜。本发明包括：(1)采用包含两个射频溅射靶位的磁控溅射设备，一个靶位放置Al靶，另一个靶位放置Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O陶瓷靶，采用Si衬底；(2)将Si衬底放置于磁控溅射设备中的衬底转动装置上并与Al靶相对；(3)以Ar为溅射气体，以O<sub>2</sub>为反应气体，生长Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>缓冲层薄膜；(4)旋转衬底转动装置，使Si衬底与Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O陶瓷靶相对；(5)以Ar为溅射气体，生长Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101555587A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200910066945.2 | 申请日期 | 2009.05.13 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 王新;李野;姜德龙;向嵘;王国政;端木庆铎;田景全 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人 | 曲 博 |
| 主权项 | 1、一种具有Al2O3缓冲层的硅衬底MgxZn1-xO薄膜磁控溅射制备方法，其特征在于，包括以下各步骤：(1)采用包含两个射频溅射靶位的磁控溅射设备，一个靶位放置Al靶，另一个靶位放置MgxZn1-xO陶瓷靶，采用Si衬底；(2)将Si衬底放置于磁控溅射设备中的衬底转动装置上并与Al靶相对；(3)以Ar为溅射气体，以O2为反应气体，生长Al2O3缓冲层薄膜；(4)旋转衬底转动装置，使Si衬底与MgxZn1-xO陶瓷靶相对；(5)以Ar为溅射气体，生长MgxZn1-xO薄膜。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 | ||