半导体中浅槽的制作方法

摘要

本发明提出一种浅槽制作方法，用于在基底层中形成浅槽，其特征是，包括以下步骤：在基底层上依次形成栅氧化层、多晶硅栅层和氮化硅硬掩膜层；在氮化硅硬掩膜层上涂覆光刻胶，并将光刻胶形成图案化的光刻胶层；以图案化光刻胶层为掩膜，进行蚀刻，穿过氮化硅硬掩膜层停在多晶硅栅层上；除去图案化光刻胶层；以及以氮化硅硬掩膜层为掩膜，进行浅槽蚀刻，在基底层中形成浅槽。本发明提出的工艺，因为进行了两次小规模的蚀刻，并且利用了氮化硅硬掩膜层进行第二次蚀刻而形成浅槽，有引入更少的蚀刻负载，有着更好的线宽控制，有利于器件尺寸的进一步缩减。

主权项

1.一种浅槽制作方法，用于在基底层中形成浅槽，其特征是，包括以下步骤：在基底层上依次形成栅氧化层、多晶硅栅层和氮化硅硬掩膜层；在上述氮化硅硬掩膜层上涂覆光刻胶，并将上述光刻胶形成图案化的光刻胶层；以上述图案化光刻胶层为掩膜，进行蚀刻，穿过上述氮化硅硬掩膜层停在上述多晶硅栅层上；除去上述图案化光刻胶层；以及以上述氮化硅硬掩膜层为掩膜，进行浅槽蚀刻，在基底层中形成浅槽。