| 发明名称 | 制造Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体的方法 | ||
| 摘要 | 在3.7MPa和870℃的氮气(N<sub>2</sub>)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。 | ||
| 申请公布号 | CN101558187A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200780046465.9 | 申请日期 | 2007.12.10 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学 | 发明人 | 山崎史郎;岩井真;下平孝直;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;吴亦华 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体晶体的方法，其中通过使氮(N)与包含碱金属的熔剂混合物中的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)的III族元素反应来生长III族氮化物基化合物半导体晶体，其特征在于所述方法包括：使用其背面不是均匀C晶面的蓝宝石衬底作为在其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底；以及在接近晶体生长温度的温度下，在所述III族氮化物基化合物半导体的晶体生长期间或在所述III族氮化物基化合物半导体的晶体生长之后，将所述蓝宝石衬底的至少一部分侵蚀、移除、熔化或溶解于所述熔剂混合物中。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||