| 发明名称 | 晶体管器件和制造这一晶体管器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管器件(10)，该晶体管器件(10)包括：衬底(11，14)；在衬底(11，14)上沿着水平方向成一条直线的鳍(3，3A)；鳍(3，3A)中的第一种电导类型的第一源极/漏极区域(4)；鳍(3，3A)中的第二种电导类型的第二源极/漏极区域(5)，其中第一种电导类型不同于第二种电导类型；在鳍(3，3A)中介于第一源极/漏极区域(4)与第二源极/漏极区域(5)之间的沟道区域(33)；沟道区域(33)上的栅极绝缘体(6)；和在栅极绝缘体(6)上的栅极结构(7，8)，其中第一源极/漏极区域(4)、沟道区域(33)和第二源极/漏极区域(5)的序列沿着水平方向成一条直线。 | ||
| 申请公布号 | CN101558497A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200780046404.2 | 申请日期 | 2007.12.10 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 塞巴斯蒂安·努汀克;吉尔贝托·库拉托拉 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种晶体管器件(10)，该晶体管器件(10)包括衬底(11，14)；在衬底(11，14)上沿着水平方向延伸的鳍(3，3A)；鳍(3，3A)中的第一种电导类型的第一源极/漏极区域(4)；鳍(3，3A)中的第二种电导类型的第二源极/漏极区域(5)，其中第一种电导类型不同于第二种电导类型；鳍(3，3A)中介于第一源极/漏极区域(4)与第二源极/漏极区域(5)之间的沟道区域(33)；沟道区域(33)上的栅极绝缘体(6)；栅极绝缘体(6)上的栅极结构(7，8)；其中，在水平方向上，沟道区域(33)在第一源极/漏极区域(4)和第二源极/漏极区域(5)之间延伸。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||