发明名称 |
多晶硅薄膜的制作方法 |
摘要 |
一种多晶硅薄膜的制作方法,是先在基板上形成硅层,然后形成一热滞留层于硅层之上,接着,利用具有陡峭能量密度梯度的激光束,进行激光加热制程,以诱发部分硅层发生超级横向长晶行为。其中,热滞留层能在激光加热制程中,对硅层的结晶行为产生辅助加热的作用,以增长超级横向长晶的长度。最后,重复地移动激光束至基板不同位置,照射激光以完成整面基板的结晶制程。 |
申请公布号 |
CN100550301C |
申请公布日期 |
2009.10.14 |
申请号 |
CN200510131794.6 |
申请日期 |
2005.12.14 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
陈昱丞;林家兴;陈宏泽 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;C30B30/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
李 勇 |
主权项 |
1.一种多晶硅薄膜的制作方法,至少包含:形成一硅层于一基板上;形成一热滞留层于所述硅层之上,其中该热滞留层是直接接触到该硅层的全部顶面;图案化一激光束,以形成具有一陡峭能量密度梯度的至少一被图案化的激光光束,其中该陡峭能量密度梯度是发生在该被图案化的激光束的全部边缘,所述能量密度梯度的范围是从400J/cm3至3000J/cm3;照射具有该陡峭能量密度梯度的该被图案化的激光束至该热滞留层,以进行一激光加热制程,以诱发部份所述硅层发生超级横向长晶行为;以及重复地移动该被图案化的激光束至该基板不同位置,以照射该被图案化的激光直到该硅层全部被照射完成为止,其中该被图案化的激光束通过重复移动可照射到该热滞留层的全部顶面。 |
地址 |
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号 |