集成电路装置的制造方法

摘要

本文件是解释氮化钛层藉由湿式化学装置(106)被移除的方法。进一步金属化层是于该氮化钛层移除之后被制造(114)。结果是为集成电路装置是具有低电阻的连接。该电路装置特别适用于切换高功率。

主权项

1.一种集成电路装置的制造方法，于其中执行以下步骤：使中介层覆盖于已制造的初始金属化层上，于该初始金属化层制造之后敷设绝缘层，使用干式蚀刻程序图案化该绝缘层以形成至少一切口，使用湿式化学蚀刻程序延伸该切口，而将于该切口区域中的来自该中介层的物质移除，在延伸该切口后，以该切口填充金属或合金方式制造至少一进一步金属化层，其中该初始金属化层是包含由铝或铝合金制成的金属层，而其中被用于湿式化学蚀刻的液体是具有与其混合用以氧化该金属层的氧化剂。