制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，用于防止在形成元件隔离槽的步骤中在沟槽内部由针状突起引起的栅电极的介电击穿，包括：在硅衬底上形成第一氧化硅膜和氮化硅膜；在氮化硅膜上形成第二氧化硅膜和光刻胶膜，其中元件隔离区域是开放的；对从光刻胶膜中暴露的第二氧化硅膜进行湿蚀刻处理；通过用光刻胶膜作掩模干蚀刻氮化硅膜和第一氧化硅膜以暴露出元件隔离区域中的硅衬底；除去光刻胶膜；用氮化硅膜作掩模干蚀刻硅衬底以在元件隔离区域中形成沟槽；在硅衬底上包括沟槽的内部形成第三氧化硅膜，然后通过化学机械抛光或在化学机械抛光后的回蚀刻除去沟槽外的第三氧化硅膜以在元件隔离区域中的硅衬底上形成元件隔离槽；和除去氮化硅膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：(a)在硅衬底的主要表面之上形成第一氧化硅膜之后，形成一层氮化硅膜；(b)在氮化硅膜之上形成第二氧化硅膜；(c)在第二氧化硅膜上形成抗反射膜；(d)在抗反射膜上形成光刻胶膜；(e)对光刻胶膜和抗反射膜进行图案化，以使得在第二氧化硅膜之上开放元件隔离区域；(f)在步骤(e)之后，在元件隔离区域对从光刻胶膜和抗反射膜中暴露的第二氧化硅膜进行湿蚀刻处理；(g)在步骤(f)之后通过用光刻胶膜和抗反射膜作掩模干蚀刻氮化硅膜和第一氧化硅膜，由此暴露出元件隔离区域中的硅衬底；(h)除去光刻胶膜和抗反射膜；(i)在步骤(h)之后通过用氮化硅膜作掩模干蚀刻硅衬底，由此在元件隔离区域中的硅衬底上形成沟槽；(j)在硅衬底之上包括沟槽的内部形成第三氧化硅膜，然后通过化学机械抛光法或在化学机械抛光法之后进行回蚀刻，除去沟槽之外的第三氧化硅膜，留下沟槽内部的第三氧化硅膜，由此在元件隔离区域中的硅衬底上形成元件隔离槽；和(k)除去氮化硅膜。