| 发明名称 | 氮化物半导体激光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性层更宽的能隙，为防止损伤电活性层，被在低温下形成的包含通式AI<sub>x</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>In<sub>y</sub>N所示单晶氮化物，此时0≤x+y≤1，0≤x≤1且0≤y≤1，特别包含通式AI<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0≤x≤1)所示氮化物的电窗口层覆盖。上述窗口层的形成显著提高本发明中氮化物激光装置的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN100550543C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN03815007.7 | 申请日期 | 2003.06.26 |
| 申请人 | 阿莫诺公司 | 发明人 | 罗伯特·德维林斯基;勒曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基;神原康雄 |
| 分类号 | H01S5/028(2006.01)I;H01S5/16(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/028(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体激光装置，其在共振器的辐射发出端面上具有窗口层，所述共振器包含n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的氮化物半导体有源层，其特征在于：至少所述共振器的辐射发出端面被所述窗口层覆盖，所述窗口层包含通式AlxGa1-x-yInyN其中0≤x+y≤1，0≤x≤1且0≤y＜1的单晶氮化物，所述单晶氮化物具有比有源层更宽的能隙并且在低温下形成以防止损伤所述有源层。 | ||
| 地址 | 波兰华沙 | ||