| 发明名称 | 放大型固体摄像元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种放大型固体摄像元件，使用在P型半导体衬底上外延生长了N型半导体层的半导体衬底，在所述N型半导体层中形成光电变换部，包括：在G像素和B像素的至少一方的所述光电变换部的下方形成的第一P型半导体层；使用所述第一P型半导体层以包围所述各光电变换部的方式形成的、具有到达所述第一P型半导体层的深度的第二P型半导体层；以包围R像素的方式形成的、具有到达所述P型半导体衬底的深度的第三P型半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100550406C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710162019.6 | 申请日期 | 2007.09.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山口铁也;后藤浩成 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种放大型固体摄像元件，使用在P型半导体衬底上外延生长有N型半导体层的半导体衬底，在所述N型半导体层中形成光电变换部，包括：形成在G像素和B像素的至少一方的所述光电变换部下方的第一P型半导体层；使用所述第一P型半导体层、以包围所述各光电变换部的方式形成的、具有到达所述第一P型半导体层的深度的第二P型半导体层；以包围R像素的方式形成的、具有到达所述P型半导体衬底的深度的第三P型半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||