| 发明名称 | 有源矩阵型TFT阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。 | ||
| 申请公布号 | CN100550397C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710109700.4 | 申请日期 | 2007.06.27 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 原田和幸;石贺展昭;井上和式 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种有源矩阵型TFT阵列基板，其具备：在透明绝缘基板上由第1金属膜构成的栅电极和栅布线；覆盖上述栅电极和栅布线的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜上的半导体层；形成在上述半导体层上的源电极、漏电极；以及由透明导电膜构成的像素电极，其中，上述源电极或上述漏电极之中的至少一方由上述透明导电膜构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜，上述基板具备由上述第2金属膜构成的像素反射电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||