发明名称 去除半导体生产中残留物用的组合物
摘要 一种清除聚合原料和蚀刻残余物用的去除剂,含有2-(2-氨基乙基氨基)-乙醇和选择性地含有另一种2个碳原子键合的链烷醇胺化合物,没食子酸或儿茶酚,水,极性有机溶剂和羟胺。一种清除基片如含钛金属的集成电路半导体薄片上的光致抗蚀剂或其它残余物的方法,包括将基片与上述组合物接触,时间和温度足以能够去除基片上的光致抗蚀剂或其它残余物。在上述组合物和方法中使用的2-(2-氨基乙基氨基)-乙醇提高了残余物的清除能力,而对基片上的钛或其它金属没有侵害。该组合物优选的闪点大于约130℃。
申请公布号 CN100549155C 申请公布日期 2009.10.14
申请号 CN200510091920.X 申请日期 2002.06.29
申请人 EKC技术公司 发明人 W·M·李;K·叶;X-D·丁;D·J·马朗伊
分类号 C11D7/32(2006.01)I 主分类号 C11D7/32(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 段晓玲
主权项 1.一种组合物,含有2-(2-氨基乙基氨基)-乙醇和水,和一种具有以下结构式的化合物:<img file="C2005100919200002C1.GIF" wi="456" he="261" />其中R<sub>3</sub>是氢或含有1至7个碳原子的直链、支链或环状的烃;其中X和Y分别是氢或含有1至7个碳原子的直链、支链或环状的烃,或其中X和Y链接在一起形成含氮杂C<sub>4</sub>-C<sub>7</sub>环;和其中所述的组合物能够清除含金属和/或金属合金部分和/或层的基片上的有机、有机金属和金属氧化物的残余物,和其中所述的组合物还含有氢氟酸和小于10ppm的金属离子的碱形成的盐。
地址 美国加利福尼亚州