薄膜形成方法和半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及薄膜形成方法和半导体装置的制造方法，其目的在于提供一种能够使蚀刻后的残余膜为一定厚度的残余膜控制性优良的薄膜形成方法。该薄膜形成方法为形成具有第一膜厚的第一部分和比第一膜厚薄的第二膜厚的第二部分的薄膜的方法，其特征在于，包括：在基板上成膜该第一膜厚的该薄膜的工序；向成膜时的该薄膜进行激光照射，取得作为反射波的干涉波形的成膜时干涉波形的工序；对该薄膜的该第二部分进行蚀刻的工序；向该蚀刻时的该第二部分进行激光照射，取得蚀刻时干涉波形的工序；和根据该成膜时干涉波形，对作为该第二部分成为该第二膜厚的状态下的该蚀刻时干涉波形的目标蚀刻时干涉波形进行运算的工序，在该蚀刻时干涉波形成为该目标蚀刻时干涉波形的时刻停止蚀刻。

主权项

1.一种薄膜形成方法，是形成具有第一膜厚的第一部分和比所述第一膜厚薄的第二膜厚的第二部分的薄膜的方法，其特征在于，包括：在基板上使所述第一膜厚的所述薄膜成膜的工序；向成膜时的所述薄膜进行激光照射，取得作为反射波的干涉波形的成膜时干涉波形的工序；对所述薄膜的所述第二部分进行蚀刻的工序；向所述蚀刻时的所述第二部分进行激光照射，取得作为反射波的干涉波形的蚀刻时干涉波形的工序；以及基于所述成膜时干涉波形，对作为所述第二部分成为所述第二膜厚的状态下的所述蚀刻时干涉波形的目标蚀刻时干涉波形进行运算的工序，在对所述第二部分进行蚀刻的工序中，在所述蚀刻时干涉波形成为所述目标蚀刻时干涉波形的时刻停止蚀刻。