| 主权项 |
1.一种立式分批处理装置，其为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，而以将所述半导体氧化膜变换为比所述半导体氧化膜易分解或升华的中间体膜的方式构成，其特征在于，包括：用于形成容纳所述被处理体的气密的处理区域的立式圆筒形状的处理容器；在所述处理区域内以彼此相互间隔、叠置的状态来保持所述被处理体的支架；在所述处理容器的一侧壁上，利用一体地装配于所述处理容器上的第1壁部分，形成向外侧突出的纵长的供给头区域；配置在所述供给头区域与所述处理区域之间，将气体流整流成层流状的整流板；从配置于所述供给头区域外的外侧的第1供给口向所述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；配置于所述第1供给口与所述处理区域之间的第2处理气体供给系统，所述第2处理气体供给系统具有分散喷嘴，所述分散喷嘴隔着规定的间隔，形成有在所述供给头区域内开口的多个第2供给口，并且沿着所述供给头区域的长度方向延伸，所述第2处理气体供给系统从多个第2供给口向所述处理区域供给第2处理气体；配置在所述第1供给口与所述供给头区域之间、通过激发所述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域，利用所述第1活性种与所述第2处理气体的反应，生成为了形成所述中间体膜而与所述半导体氧化膜反应的反应物质；和从隔着所述处理区域配置于与所述第2供给口相对向位置上的排气口将所述处理区域内进行真空排气的排气系统，所述第1处理气体供给系统与所述第2处理气体供给系统在所述供给头区域连接，所述多个第2供给口实质上相对于所叠置的所述被处理体全体，沿垂直方向排列，所述整流板具备实质上相对于所叠置的所述被处理体全体的沿垂直方向排列的多个缝隙。 |
