| 发明名称 | 功率半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层而构成的功率半导体单元；所述第1半导体层的纵方向的杂质量分布和所述第2半导体层的纵方向的杂质量分布有所不同。另外，在述功率半导体单元的主面侧，所述第2半导体层的所述主面侧的面积大于与所述主面相反一面侧的面积，而且，从所述主面侧向与所述主面相反一面侧的纵方向上的杂质浓度的分布是固定的；所述第1半导体层的所述纵方向上的杂质浓度的分布是固定的。 | ||
| 申请公布号 | CN100550416C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710101016.1 | 申请日期 | 2003.09.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤涉;大村一郎;木下浩三 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种功率半导体元件，包括：横方向上周期性地形成第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层而构成的半导体层；以及包含该周期性地形成的半导体层而构成的功率半导体单元；在所述功率半导体单元的主面侧，所述第2半导体层被设置在从所述主面侧向与所述主面相反一面侧形成的沟槽的内部，所述第2半导体层的面积从所述主面侧向与所述主面相反一面侧渐渐变小，而且，从所述主面侧向与所述主面相反一面侧的纵方向上的杂质浓度的分布是固定的；所述第1半导体层的所述纵方向上的杂质浓度的分布是固定的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||