最小化湿法蚀刻底切度并提供极低K值(K<2.5)电介质封孔的方法

摘要

本发明公开了处理位于衬底上的薄膜的方法。在一方面，这些方法包括：在从薄膜上去除光刻胶之后，通过在薄膜上沉积包含硅、碳，以及选择性地包含氧和/或氮的薄层，处理已构图的低介电常数薄膜。所述的薄层为已构图的低介电常数薄膜提供一个富碳、疏水的表面。所述薄层也在后续的湿法清洗工艺中保护了低介电常数薄膜并使其不被后续沉积在低介电常数薄膜上的各层的前驱物渗透。

主权项

1.一种在腔室中处理在衬底上的薄膜的方法，其特征在于，包含：通过在具有在1∶1至1∶3之间的硅∶氧比例或在1∶1至1∶2之间的硅∶氮比例的薄膜的表面上选择性地沉积厚度在4埃至100埃之间并包含硅和碳的薄层来处理该薄膜，其中该层的沉积包括在RF功率存在的条件下使包含硅、碳、以及氢的前驱物起反应。