| 发明名称 | 一种堆叠非易失性存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种堆叠非易失性存储设备，其包括多个彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术有效且经济地制造。此器件可配置为适用于与非(NAND)操作中。 | ||
| 申请公布号 | CN100550352C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200610164205.9 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;吕函庭;谢光宇 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩 宏 |
| 主权项 | 1.一种制造非易失性存储元件的方法，该器件包括依序形成于彼此之上的多个位线层以及多个字线层，该方法包括：形成第一位线层，其中该第一位线层的形成包括：形成半导体层于绝缘体上；图案化并蚀刻该半导体层，以形成多条位线；形成第一字线层于该第一位线层之上，其中该第一字线层的形成包括：依序形成第一陷获结构、导体层、以及第二陷获结构；以及图案化并蚀刻该第一与第二陷获结构以及该导体层，以形成多条字线。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||