| 发明名称 | 形成穿透硅通孔的结构和工艺 | ||
| 摘要 | 本发明为形成穿透硅通孔的结构和工艺。一种集成电路结构，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底之上的互连结构，其中所述互连结构包括顶层金属化层间电介质(IMD)；穿透所述互连结构至所述半导体衬底内的开口；所述开口内的导体；具有相互物理连接的垂直部分和水平部分的隔离层。所述垂直部分在所述开口的侧壁上。所述水平部分直接覆盖在所述互连结构之上。所述集成电路结构不具有垂直位于所述顶层IMD和所述隔离层的水平部分之间的钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101556944A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200810186424.6 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郭正铮;卿恺明;陈承先 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/482(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 梁 永;马佑平 |
| 主权项 | 1.一种集成电路结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底之上的互连结构，其中所述互连结构包括顶层金属层间电介质(IMD)；穿透所述互连结构至所述半导体衬底内的开口；所述开口中的导体；以及隔离层，其具有相互物理连接的垂直部分和水平部分，其中，所述垂直部分在所述开口的侧壁上，所述水平部分直接覆盖在所述互连结构之上，其中所述集成电路结构不含有垂直位于所述顶层IMD和所述隔离层的水平部分之间的钝化层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||