| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理的面内均匀性高、并且难以产生充电损坏的电容耦合型的等离子体处理装置。该电容耦合型的等离子体处理装置(100)具有：可保持真空气氛的腔室(1)；在腔室(1)内互相平行地配置的第一和第二电极(2、18)；和在第一和第二电极(2、18)之间形成高频电场、生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构(10)，第二电极(18)中，至少与第一电极(2)相对的部分被分割成由导体构成、处于浮动状态或被接地的第一分割片(18c<sub>1</sub>)和第二分割片(18c<sub>2</sub>)，还具有向第一分割片(18c<sub>1</sub>)和第二分割片(18c<sub>2</sub>)之间施加电压的可变直流电源。 | ||
| 申请公布号 | CN100551200C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200610073360.X | 申请日期 | 2006.03.31 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 桧森慎司;松土龙夫 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，是电容耦合型的等离子体处理装置，其特征在于，具有：可保持真空气氛的腔室；在所述腔室内互相相对设置的第一和第二电极；和在所述第一和第二电极之间形成高频电场、生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，所述等离子体生成机构具有与所述第一电极连接的高频电源，所述第一电极支撑被处理基板，同时可从所述高频电源施加高频电力，所述第二电极中，至少与所述第一电极相对的部分被分割成多个分割片，这些分割片具有导体，分别处于浮动状态或被接地，还具有向所述多个分割片中的至少一个施加直流电压的直流电源。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||