半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。

主权项

1、一种半导体器件，包括：第一导体层，其电连接到电源的第一端子，该第一端子具有第一极性；电流调节层，其覆盖第一导体层的部分表面，并且在第一导体层的表面留下非覆盖表面；半导体层，其覆盖电流调节层的表面；导通区，其在非覆盖表面处使半导体层与第一导体层相导通；及第二导体层，其形成在半导体层的表面，第二导体层位于在横向上与非覆盖表面错开的位置，第二导体层电连接到电源的第二端子，该第二端子具有第二极性；其中半导体结构完全形成在半导体层中，当半导体层中靠近非覆盖表面的部分通过导通区和第一导体层电连接到电源的第一极性，并且半导体层中靠近第二导体层的部分通过第二导体层电连接到电源的第二极性时，该半导体结构执行特定的操作，所述第一导体层由具有高杂质浓度的半导体材料、导电性金属或其组合形成，以及当在所述第一导体层和所述第二导体层之间没有电流流动时，在所述半导体层内的电场方向和晶体缺陷在所述半导体层内延伸的方向之间获得近似垂直的关系。