钼溅射靶

摘要

特征在于没有或具有最少织构条带或全厚度梯度的钼溅射靶和烧结。钼溅射靶具有细的均匀晶粒尺寸以及均匀织构，高纯度，并可被微合金化以提高性能。溅射靶可为圆盘、方形、矩形或管状，并可被溅射在衬底上形成薄膜。通过使用形成段的方法，溅射靶的尺寸可最大为6m×5.5m。薄膜可用在电子元件中，如薄膜晶体管-液晶显示器、等离子显示板、有机发光二极管、无机发光二极管显示器、场致发射显示器、太阳能电池、传感器、半导体器件和具有可调选出功的CMOS(互补金属氧化物半导体)用栅器件。

主权项

1.一种钼溅射靶，具有细的均匀晶粒尺寸以及基本没有织构条带和从靶中心到边缘的全厚度梯度的均匀织构，并具有至少99.5重量％的纯度，和为了提高性能而任选地被微合金化，其中晶粒尺寸为至少45μm，以及细的均匀平均晶粒尺寸不超过125μm。