| 摘要 |
L'invention concerne un transistor MOS réalisé dans la couche mince de silicium d'un substrat SOI (l0), ladite couche mince (13) étant faiblement dopée et ayant une épaisseur inférieure à 30 nm, les contacts de source (14) et de drain (15) étant du type Schottky à hauteur de barrière Schottky la plus faible possible pour le s porteurs majoritaires, le régime de fonctionnement du transistor étant du type accumulation.
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