| 发明名称 |
液晶显示装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明的课题在于提供不减少每个像素的开口率，增加辅助电容电极的容量，适合于较小的像素面积，及更精细化的液晶显示装置及其制造方法。一种液晶显示装置(10)，该液晶显示装置(10)包括在透明基板(11)上呈矩阵状设置的复数信号线(17)和扫描线；在扫描线之间平行地设置的复数辅助电容线；薄膜电晶体(TFT)，该薄膜电晶体(TFT)设置于信号线和扫描线的交点附近；像素电极(20)，该像素电极(20)设置于藉由信号线(17)和扫描线划分的相应位置，并且与薄膜电晶体(TFT)的汲极(D)电性连接，其特征在于，上述薄膜电晶体(TFT)的闸极(G)和扫描线系被由第1层的绝缘膜(25)和第2层的绝缘层(26)所形成的闸极绝缘膜所覆盖，在辅助电容电极(18a)上，隔着上述第2层的绝缘层(26)而延伸有薄膜电晶体(TFT)的汲极(D)。 |
| 申请公布号 |
TWI315914 |
申请公布日期 |
2009.10.11 |
| 申请号 |
TW095133148 |
申请日期 |
2006.09.08 |
| 申请人 |
爱普生映像元器件股份有限公司 |
发明人 |
加藤隆幸;杉山裕纪;野村慎一郎;新谷隆夫;森田聪;佐藤尚 |
| 分类号 |
H01L29/786;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂;何秋远 |
| 主权项 |
一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括在透明基板上呈矩阵状设置的复数条信号线和扫描线；在上述扫描线之间平行地设置的复数条辅助电容线；薄膜电晶体，该薄膜电晶体设置于上述信号线和扫描线的交点附近；像素电极，该像素电极设置于藉由上述信号线和扫描线所划分的各个位置，并且与上述薄膜电晶体的汲极电性连接，其特征在于：上述薄膜电晶体的闸极和上述扫描线系由闸极绝缘膜所覆盖，在上述辅助电容线上，隔着厚度小于上述闸极绝缘膜的厚度之绝缘层而延伸有上述薄膜电晶体的汲极。 |
| 地址 |
日本 |
