发明名称 于非挥发性记忆体写入操作中之持续认证
摘要 本发明揭示一种于非挥发性记忆体写入操作中之持续认证。在程式化一群组非挥发性记忆体单元时提供暂时锁定以更准确地程式化该等记忆体单元。成功认证一记忆体单元之一临界电压已达到针对其预期状态之一位准之后,该临界电压将随后于完成该群组之其他记忆体单元之程式化所需要的该程式化程序之额外迭代期间降至低于该认证位准。监视(例如,在每一迭代之后)记忆体单元以决定其在先前认证已达到该目标临界电压之后是否已降至低于该认证位准。先前通过认证而随后未通过认证的单元可经受进一步程式化。例如,可将所关注记忆体单元之位元线电压设定为一适度高电压以减慢或减少每一后续程式化脉冲所完成之程式化数量。以此方式,可将未通过认证的一记忆体单元放置回正规程式化流程中,而无需使该单元遭受过度程式化之危险。
申请公布号 TWI315875 申请公布日期 2009.10.11
申请号 TW095149535 申请日期 2006.12.28
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 陈贞
分类号 G11C16/34 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人 黄章典;楼颖智
主权项 一种程式化非挥发性记忆体之方法,其包含:程式化一组非挥发性储存元件,其中该组非挥发性储存元件中的每一非挥发性储存元件系预期程式化为一或多个目标状态中的一目标状态;针对达到一对应于其程式化预期要达到之该目标状态的个别认证位准的每一非挥发性储存元件,抑制程式化;针对达到一对应于其程式化预期要达到之该目标状态的个别认证位准且随后降至低于该对应于其程式化预期要达到之该目标状态的个别认证位准的每一非挥发性储存元件,致动一第一速率之程式化;及针对还未达到一对应于其程式化预期要达到之该目标状态的个别认证位准的每一非挥发性储存元件,致动一第二速率之程式化。
地址 美国