发明名称 用于控制充电电容器之半导体记忆装置
摘要 本发明揭示一种半导体记忆装置。特定言之,揭示一种能够依据一设定模式藉由采用一细胞电容器作为一充电电容器来增大一净晶粒之技术。本发明之该半导体记忆装置在一正常模式下将该细胞电容器用作该充电电容器且在一烧入测试模式下可防止将每一电压施加于该细胞电容器。可依据该设定模式对施加于该细胞电容器或MOS电晶体之该电压加以调整。
申请公布号 TWI315876 申请公布日期 2009.10.11
申请号 TW095136281 申请日期 2006.09.29
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 张采圭
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种半导体记忆装置,其包含:一电源供应单元,其系用于接收并递送一电源供应电压;一充电电容器,其系用于储存自该电源供应单元所提供之该电源供应电压;以及一模式控制器,当目前操作模式是一测试模式时,将该电源供应单元与该充电电容器断开以回应一模式选择信号,以及当该目前操作模式是一正常模式时,将该电源供应单元连接至该充电电容器以回应该模式选择信号。
地址 南韩