| 发明名称 |
双闸极及三闸极金氧半导体场效电晶体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
一种双闸极金属氧化物半导体场放电晶体(MOSFET)系包括鳍部(fin)(220)、第一闸极(240)和第二闸极(420)；该第一闸极(240)形成于鳍部(220)之上端，第二闸极(420)则围绕该鳍部(220)和第一闸极(240)；于另一实施例中，一三闸极MOSFET包括鳍部(220)、第一闸极(710)、第二闸极(720)和第三闸极(730)，该第一闸极(710)形成于鳍部(220)之上端，第二闸极(720)紧邻着鳍部(220)形成，第三闸极(730)紧邻着鳍部(220)并相对于第二闸极而形成(720)。 |
| 申请公布号 |
TWI315911 |
申请公布日期 |
2009.10.11 |
| 申请号 |
TW092129118 |
申请日期 |
2003.10.21 |
| 申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
林明仁;安西琳;卡瓦皮克 罗兰;泰伯瑞 赛若斯Ｅ;王海宏;俞宾 |
| 分类号 |
H01L29/76 |
主分类号 |
H01L29/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种于金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)中形成闸极之方法，该方法之特征在于：形成鳍部(fin)结构；于该鳍部结构之上端形成第一闸极结构；以及在该鳍部结构和该第一闸极结构之周围形成第二闸极结构。 |
| 地址 |
美国 |
