发明名称 窄线宽闸极及导线之制造方法
摘要 本发明为一种窄线宽闸极的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,于该基底上依序形成一闸介电层、一闸导电层、一第一罩幕层、一第二罩幕层。定义该第二罩幕层,形成一闸极图案,续等向性蚀刻该第二罩幕层,缩小该闸极图案之尺寸,接着以该第二罩幕层为一罩幕,依序蚀刻该第一罩幕层、该闸导电层与该闸介电层,形成一缩小尺寸之闸极。本发明之方法亦适用于制造窄线宽之导线。
申请公布号 TWI315893 申请公布日期 2009.10.11
申请号 TW092112646 申请日期 2003.05.09
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 詹博文;邱远鸿;陶宏远
分类号 H01L21/314 主分类号 H01L21/314
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种窄线宽闸极之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上依序形成一闸介电层、一闸导电层、一第一罩幕层、一第二罩幕层与一抗反射层;于该抗反射层上形成一具有一闸极图案之光阻层;以该光阻层为一罩幕,蚀刻该抗反射层与该第二罩幕层,形成一具有该闸极图案之第二罩幕层;等向性蚀刻该第二罩幕层,缩小该闸极图案之尺寸;移除该光阻层与该抗反射层;以及以该第二罩幕层为一罩幕,依序蚀刻该第一罩幕层、该闸导电层与该闸介电层,形成一缩小尺寸之闸极。
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路121号