| 发明名称 | 热泡式喷墨晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种热泡式喷墨晶片的制造方法，其步骤包含：在一具有热阻障层的基板上形成一电阻层及一导电层，并将该导电层及该电阻层图案化；在该电阻层及该导电层上形成一介电保护膜及一蚀刻停止层，并将该蚀刻停止层及该介电保护膜图案化；在该蚀刻停止层及该介电保护膜上形成一金属膜，并将该金属膜图案化，以制得该喷墨晶片；其中，该蚀刻停止层作为图案化该金属膜的蚀刻终止处。 | ||
| 申请公布号 | TWI315700 | 申请公布日期 | 2009.10.11 |
| 申请号 | TW096103525 | 申请日期 | 2007.01.31 |
| 申请人 | 亚太优势微系统股份有限公司 | 发明人 | 郑钧文 |
| 分类号 | B41J2/16;B41J2/14;B41J2/135 | 主分类号 | B41J2/16 |
| 代理机构 | 代理人 | 恽轶群;陈文郎 | |
| 主权项 | 一种热泡式喷墨晶片的制造方法，其步骤包含：在一具有热阻障层的基板上形成一电阻层及一导电层，并将该导电层及该电阻层图案化；在该电阻层及该导电层上形成一介电保护膜及一蚀刻停止层，并将该蚀刻停止层及该介电保护膜图案化；在该蚀刻停止层及该介电保护膜上形成一金属膜，并将该金属膜图案化，以制得该喷墨晶片；其中，该蚀刻停止层作为图案化该金属膜的蚀刻终止处。 | ||
| 地址 | 新竹县宝山乡新竹科学工业园区研发六路2号 | ||