自我更新之控制装置

摘要

本发明揭示一种自我更新控制装置，其用于减少在截止状态中之电晶体之一电流泄漏。用来控制一用于一半导体记忆体装置中之电压的装置包括：一第一电压供应区块，其用来回应一输入控制讯号而向该半导体记忆体装置供应一第一电压；及一第二电压供应区块，其用来回应该输入控制讯号而向该半导体记忆体装置供应一第二电压，其中该第一电压及该第二电压系用作一包括于该半导体记忆体装置中之电晶体的一基体电压。

主权项

一种用来控制一用于一半导体记忆体装置之电压的装置，其包含：一第一电压供应区块，其用来回应一输入控制讯号而向该半导体记忆体装置供应一第一电压；及一第二电压供应区块，其用来回应该输入控制讯号而向该半导体记忆体装置供应一第二电压，其中该第一电压及该第二电压系用作一包括于该半导体记忆体装置中之电晶体的一基体电压，以于一自我更新运算时提升该电晶体之一临界电压位准。