| 发明名称 | 半导体制程与内层介电层的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体制程，系先对一介电层进行平坦化制程。接着，在介电层上形成材料层。之后，在材料层与介电层中形成开口。然后，在后续进行热处理制程时，前述材料层会变成具有压缩应力的材料层，以防止介电层产生缺陷。另外，本发明亦提供一种内层介电层的制造方法，系先在基底上形成介电层，再对介电层进行平坦化制程。接着，在介电层上形成材料层，其中材料层在经热处理后会转变为具有压缩应力的材料层。因此本发明藉着经热处理后会转变为具有压缩应力的材料层，可避免在介电层中产生裂隙的问题，以提升制程的良率。 | ||
| 申请公布号 | TWI315901 | 申请公布日期 | 2009.10.11 |
| 申请号 | TW093136700 | 申请日期 | 2004.11.29 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 苏金达;廖振伟;陈礼仁 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包括：提供一基底，在该基底上具有一介电层；平坦化该介电层；在该介电层上形成一材料层；在该介电层与该材料层内形成一开口；以及进行一热处理制程，使该材料层变成具有压缩应力(compressive stress)的该材料层，以防止该介电层产生缺陷。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||