| 发明名称 |
微影图形的形成方法 |
| 摘要 |
本发明系提供一种微影图形的形成方法，包含：形成一第一材料层于一基底上，上述第一材料层实质上不含矽；形成一图形化的阻剂层于上述第一材料层上，上述图形化的阻剂层包含至少一阻剂开口于其中；形成含矽的一第二材料层于上述图形化的阻剂层上；以及以上述第二材料层为罩幕，形成一开口于上述第一材料层中。 |
| 申请公布号 |
TWI315809 |
申请公布日期 |
2009.10.11 |
| 申请号 |
TW095129897 |
申请日期 |
2006.08.15 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张庆裕;林进祥;林本坚 |
| 分类号 |
G03F1/08;G03F1/14;G03F7/42;G03F7/075;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F1/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种微影图形的形成方法，包含：形成一第一材料层于一基底上，该第一材料层实质上不含矽；形成一图形化的阻剂层于该第一材料层上，该图形化的阻剂层包含至少一阻剂开口于其中；引进一含氧化矽的浆料(slurry)，并将氧化矽扩散进入该图形化的阻剂层以形成一第二材料层于该图形化的阻剂层上，其中该第二材料层含矽；以及以该第二材料层为罩幕，在该第一材料层开口。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
