磁电装置之合成反铁磁性结构

摘要

一种近乎平衡的合成反磁铁性(SAF)结构有利于使用在磁电装置上，例如：一磁阻式记忆胞，包括两个铁磁层和一反铁磁性耦合层，将该两个铁磁层分开。该SAF自由层具有复数个弱耦合区，以例如像反铁磁性耦合层的退火，多层法或在一铁磁层粗糙表面上形成反铁磁性耦合层的处理方式，形成在该反铁磁性耦合层中。相较于未处理的SAF自由层，该弱耦合区降低了该SAF自由层的翻转场。在此结构的写入动作期间，使用该SAF翻转，而它的减少会在写入动作时，有较低的耗电量，因而增加装置的效能。

主权项

一种磁电记忆体装置，其包括：一近乎平衡合成反铁磁性(SAF)结构，包括两个铁磁层，及一反向耦合层，其将该两个铁磁层分开及在此具有弱耦合区域(WCR)；及一装置，其系用以在该近乎平衡SAF中，感应一应用磁场。