| 摘要 |
Способ контроля пригодности пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука, заключающийся в измерении в произвольно выбранных по длине пьезоэлектрического кристалла локальных областях коэффициента затухания ультразвука методом дифракции света на ультразвуковых колебаниях, отличающийся тем, что к тем же произвольно выбранным по длине пьезоэлектрического кристалла локальным областям прикладывают переменное электрическое поле с частотой, соответствующей толщине поперечного сечения кристалла, после чего дополнительно измеряют коэффициент электромеханической связи, по величине которого и предварительно измеренному значению в этой же локальной области коэффициента затухания ультразвука осуществляют контроль однородности свойств кристалла, по наличию которой в локально выбранной области пьезоэлектрического кристалла судят о его пригодности для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука. |
