PROCEDE DE PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DU TYPE PROGRAMMABLE UNE FOIS ET CIRCUIT INTEGRE INCORPORANT UN TEL DISPOSITIF DE MEMOIRE

摘要

Le circuit intégré comprend un dispositif de mémoire du type électriquement programmable de façon irréversible comportant au moins une cellule-mémoire (CEL) comportant une zone diélectrique (C) disposée entre une première électrode (EC1) électriquement couplée à une première borne (BA) d'alimentation et une deuxième électrode (EC2) électriquement couplée à un circuit d'accès incluant au moins un transistor d'accès (TR). Le dispositif de mémoire (DM) comprend en outre un circuit auxiliaire (CAX) comportant un transistor auxiliaire (TRX) électriquement couplé entre ladite première électrode et ladite première borne d'alimentation, apte à être commandé sur son électrode de commande auxiliaire de façon à être passant lorsque le circuit d'accès (TR) est passant, et agencé de façon à présenter un courant de saturation inférieur au courant de saturation du circuit d'accès.