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Eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die EUV-Mikrolithographie hat eine EUV-Synchrotron-Lichtquelle (2) zur Erzeugung von EUV-Nutzlicht (3). Zur Beleuchtung eines Objektfeldes (14) mit dem Nutzlicht (3) dient eine Beleuchtungsoptik (5). Zur Abbildung des Objektfeldes (14) in ein Bildfeld (17) dient eine Projektionsoptik (16). Eine Scanneinrichtung (6) dient zum Ausleuchten des Objektfeldes (14) durch mit einer Projektionsbelichtungsdauer synchronisiertes Ablenken des Nutzlichts (3). Es resultiert eine Projektionsbelichtungsanlage, bei der die Ausgangsleistung einer EUV-Synchrotron-Lichtquelle möglichst effizient zur EUV-Projektionsbelichtung herangezogen werden kann.
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