| 摘要 |
<p>Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) mit zumindest einem Halbleiterkörper (2) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (21) aufweist. Das Halbleiterbauelement umfasst weiterhin einen Anschlussträger (3) mit einer Anschlussfläche (31), auf der der Halbleiterkörper befestigt ist, und einen Wärmeableitungskörper (4), der zumindest bereichsweise mit einer Spiegelschicht (5) versehen ist. Der Wärmeableitungskörper (4) ist mit dem Anschlussträger (3) stoffschlüssig verbunden und weist eine Aussparung (41) auf, in der der Halbleiterkörper (2) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (1) angegeben.</p> |
