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发明名称 PROCESS FOR MAKING IDEAL OXYGEN PRECIPITATING SILICON WAFERS WITH NITROGEN/CARBON STABILIZED OXYGEN PRECIPITATE NUCLEATION CENTERS
摘要
申请公布号 KR100920862(B1) 申请公布日期 2009.10.09
申请号 KR20077006698 申请日期 2007.03.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/322;H01L21/20 主分类号 H01L21/322
代理机构 代理人
主权项
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