Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dünnschicht

摘要

Zur Herstellung von Indiumsulfid-Dünnschichten ist das so genannte "Sprüh-ILGAR-Verfahren" bekannt, welches aus einer Verfahrensphase I (Deposition eines festen Indium-Precursors am Substrat) und einer sequenziellen Verfahrensphase II (Ionenaustauschstoffgas) besteht und durchgängig bei Atmosphärendruck arbeitet. Erfindungsgemäß ist zur weiteren Verbesserung von Sprüh-ILGAR unter Beibehaltung von dessen Vorteilen vorgesehen, dass in der Verfahrensphase I simultan ein CVD-Schritt mit einer Überströmung des Substrats (SU) durchgeführt wird, der zur zusätzlichen Deposition von reaktionsfähigem Indium auf dem Substrat (SU) führt. Dazu wird simultan eine solche Menge von Schwefelwasserstoff (H2S) zum gelösten oder gasförmigen Indium enthaltenden Precursor (PRIn(g/fl)) zugeführt, dass sich eine absolute Konzentration des Schwefelwasserstoffs (H2S) gleich oder weniger als 1 Vol% in einem Mischgebiet (MP) ergibt. In der Verfahrensphase I wird das Substrat (SU) auf eine Temperatur zwischen 100°C und 275°C geheizt, sodass keine störende Pulverbildung in der Gasphase auftreten kann. In speziellen Batch- oder Inline-Anordnungen werden sehr kompakte, homogene Indiumsulfid-Dünnschichten hergestellt, die besonders vorteilhaft als Pufferschichten in Solarzellen eingesetzt werden können.