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In einer ersten und in einer zweiten Isolierschicht (22, 27) wird ein vertiefter Abschnitt (10) bereitgestellt, wobei die erste Isolierschicht (22) auf einem Halbleiter-Wafer (2) aufgebracht ist, wobei die zweite Isolierschicht (27) auf der ersten Isolierschicht (22) aufgebracht ist. Die erste und die zweite Isolierschicht (22, 27) werden verarbeitet, um in einem Ausbildungsgebiet des Halbleiter-Wafers (2, 2), in dem ein Beschleunigungssensor (20) ausgebildet werden soll, eine Verdrahtung (26) auszubilden. Nachdem auf der Verdrahtung (26) eine Opferschicht (24) aufgebracht und verarbeitet worden ist, wird auf die Verdrahtung (26) eine leitende Schicht (25) aufgebracht und verarbeitet, um in dem Ausbildungsgebiet mehrere Dünnschichtstrukturen (28) auszubilden. Der vertiefte Abschnitt (10) umgibt das Ausbildungsgebiet. |
