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Eine Halbleitervorrichtung weist auf: ein Substrat (1); einen Zellbereich (ZELL-BEREICH) für ein aktives Element, der einen IGBT-Zellbereich (IGBT-ZELLBEREICH) und einen Dioden-Zellbereich (DIODEN-ZELLBEREICH) aufweist; einen ersten Halbleiterbereich (2) auf einer ersten Seite des Substrats im Zellbereich für ein aktives Element; einen zweiten Halbtrats im IGBT-Zellbereich; einen dritten Halbleiterbereich (5) auf der zweiten Seite im Dioden-Zellbereich; einen vierten Halbleiterbereich (6, 6a-6b) auf der ersten Seite, welcher den Zellbereich für ein aktives Element umgibt; einen fünften Halbleiterbereich (9) auf der ersten Seite, welcher den fünften Halbleiterbereich umgibt; und einen sechsten Halbleiterbereich (5a-5d) auf der zweiten Seite unterhalb des vierten Halbleiterbereichs. Der zweite Halbleiterbereich, der dritte Halbleiterbereich und der sechste Halbleiterbereich sind elektrisch miteinander verbunden.
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