ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION METHOD FOR PRODUCING A N-SEMICONDUCTIVE METAL SULPHIDE THIN LAYER

摘要

Bekannt ist die Herstellung von Metallsulfid-Dünnschichten mittels unterschiedlichster Verfahren, nicht aber durch direkte CVD unter Atmosphärendruck (APCVD), da dabei nach Kenntnis des Fachmanns bereits in der Gasphase pulverförmige Reaktionsprodukte gebildet werden, die zu einer schlechten Schichtqualität führen. Die Anwendung der APCVD ist aus dem Stand der Technik nur zur Erzeugung von Sn2S3 als Metallsulfid-Dünnschicht bekannt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Indium enthaltender Precursor (PRln(g/fl)), der selbst einen hohen Dampfdruck besitzt oder mit einem Lösungsmittel ein flüchtiges Addukt bildet, in eine flüssige oder gasförmige Phase überführt, mit dem inerten Trägergasstrom (IG) und dem Schwefelwasserstoff (PRH2S(g)), das in einer solchen Menge zugeführt wird, dass seine Konzentration gleich oder weniger als 1 Vol% in einem Mischgebiet (MP) beträgt, gemischt und auf das auf eine Temperatur (T) gleich oder zwischen100°C und 275°C aufgeheizte Substrat (SU) gelenkt. Mit dem erfindungsgemäßen APCVD-Verfahren können überraschend hochwertige Indiumsulfidschichten beispielsweise als Pufferschichten für Solarzellen einfach und kostengünstig hergestellt werden.