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Ausführungsformen beziehen sich auf ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Gemäß Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement ein erstes Bauelement, eine Silizium-Epitaxieschicht, die auf und/oder über dem ersten Bauelement ausgebildet ist, ein zweites Bauelement, das auf und/oder über der Silizium-Epitaxieschicht ausgebildet ist, und eine durch die Silizium-Epitaxieschicht hindurch ausgebildete Verbindungsdurchkontaktierung umfassen, die das erste Bauelement und das zweite Bauelement elektrisch verbinden kann. Gemäß Ausführungsformen kann ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements ein Ausbilden eines ersten Bauelements, ein Ausbilden einer Silizium-Epitaxieschicht auf und/oder über dem ersten Bauelement, ein Ausbilden einer Verbindungsdurchkontaktierung durch die Silizium-Epitaxieschicht hindurch und ein Ausbilden eines zweiten Bauelements auf und/oder über der Silizium-Epitaxieschicht derart umfassen, dass das zweite Bauelement mit der Verbindungsdurchkontaktierung elektrisch verbunden sein kann.
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