共振穿隧量子点元件装置

摘要

一种共振穿隧量子点元件装置，该量子点电子元件系包含一对N型上、下电子注入层与至少一周期以上双能障局限的量子点层。当施以该元件在上或下电子注入层适当之正或负电场足以驱动所注入电子流在双能障所局限之能阶中产生穿隧传输。当电子在元件中产生穿隧传导时，其元件特性表现为负电阻行为，且此元件不但具有双极性负电阻功能与极佳的温度稳定度，同时也可在室温环境下操作。

主权项

一种共振穿隧量子点元件装置，包含：半导体基板；半导体电子导电下注入层位于该半导体基板之上；复数个周期性双能障之下半导体能障层位于该半导体电子导电下注入层之上；复数个周期性下半导体空间层位于该复数个周期性双能障之下半导体能障层之上；复数个周期性量子点阵列层位于该复数个周期性下半导体空间层之上；复数个周期性上半导体空间层位于该复数个周期性量子点阵列层之上；复数个周期性双能障之上半导体能障层位于该复数个周期性上半导体空间层之上；半导体电子导电上注入层位于该复数个周期性双能障之上半导体能障层之上。