发明名称 具有向周围延伸记忆元素之记忆细胞元件
摘要 本发明系有关于一种具有一记忆材料可藉由施加能量而在电性状态之间切换的记忆细胞元件,其具有一底电极构件、一顶电极构件以及一介电材料位于顶电极构件与底电极构件之间。此顶电极以及底电极构件具有彼此大致对准之环绕向外延伸的外表面。一记忆元素包含一记忆材料,至少部份环绕且与该底电极构件和该顶电极构件的该外表面电性接触,以于该介电材料中产生一记忆元素转换区域。在某些实施例中,底电极构件、该顶电极构件以及该介电材料定义一材料堆叠,该材料堆叠具有延伸于该底电极构件和该顶电极构件之间且通过该介电材料一方向的一长度,以及延伸垂直于该长度且具有一次微影尺寸的一宽度。
申请公布号 TWI315575 申请公布日期 2009.10.01
申请号 TW095138488 申请日期 2006.10.18
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 龙翔澜
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 李贵敏
主权项 一种具有一记忆材料可藉由施加能量而在电性状态之间切换的记忆细胞元件,该记忆细胞元件包括:一底电极构件,具有一环绕向外延伸的外表面;一顶电极构件于该底电极构件之上,该顶电极构件具有一与该底电极构件的该外表面大致对准之环绕向外延伸的外表面;一介电材料位于该顶电极构件与该底电极构件之间;以及一记忆元素包含一记忆材料,该记忆元素至少部份环绕且与该底电极构件和该顶电极构件的该外表面电性接触,以于该介电材料中产生一记忆元素转换区域;其中能量通过该底电极构件和该顶电极构件时,会被集中于该记忆元素的该转换区域中,以导致改变该记忆材料的一电性状态。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号