发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
摘要 Es wird eine Halbleitervorrichtung mit verbesserter Zuverlässigkeit und Ausbeute geschaffen. Ein Halbleiterelement, bei welchem eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode durch eine Isolierschicht getrennt sind, wird vorbereitet; Lotmaterial wird auf eine Metallfolie gelegt und das Halbleiterelement wird so auf das Lotmaterial gelegt, dass eine dritte Elektrode Kontakt hat. Blattförmiges Lotmaterial wird so angeordnet, dass es der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode des Halbleiterelements gegenüberliegt, und die unteren Enden von Stiftelektroden werden so angeordnet, dass sie der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode gegenüberliegen, wobei das Lotmaterial dazwischenliegt. Dann wird das Lotmaterial getrennt, wobei die Isolierschicht dazwischenliegt, und werden die erste Elektrode und eine Stiftelektrode über Lotmaterial kontaktiert, und überdies werden die zweite Elektrode und eine Stiftelektrode über Lotmaterial kontaktiert. Überdies werden die dritte Elektrode und die Metallfolie über Lotmaterial kontaktiert. Auf diese Weise werden Zuverlässigkeit und Ausbeuten von Halbleitervorrichtungen verbessert.
申请公布号 DE102009014582(A1) 申请公布日期 2009.10.01
申请号 DE20091014582 申请日期 2009.03.24
申请人 FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO. LTD. 发明人 TANIGUCHI, HARUTAKA;IKEDA, YOSHINARI
分类号 H01L21/60;H01L21/50;H01L25/07;H05K3/32;H05K3/34 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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