热绝缘相转换记忆元件及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种热绝缘记忆元件其包括有一记忆细胞，此记忆细胞包括复数个电极其间带有一介层窗、一热绝缘体位于此介层窗中并界定一空洞延伸于电极表面之间。一种如一相转换材料等之记忆材料，系位于此空洞中并电耦接至这些电极以生成一记忆材料元素。此热绝缘体可帮助降低操作此记忆材料元素所需要之电能。一电极可接触至一栓塞之外表面，以填补任何如孔洞型瑕疵等位于栓塞表面之不平整处。本发明同时揭露一种用以制造此元件并填补栓塞表面不平整处之方法。

主权项

一种热绝缘记忆元件，包括：一记忆细胞存取层，包括用作为终端之复数个掺杂区域；以及一记忆细胞层，其系操作上与该记忆细胞存取层耦接，并包括一记忆细胞耦接至与该些掺杂区域之一者电联结之一存取导体，该存取导体有着一接点表面，该记忆细胞包括；第一与第二电极构件，有着彼此相对且分离之电极表面，该第一电极构件系接触至该存取导体之该接点表面；一电极间绝缘层，系介于该第一与第二电极表面，其包括一延伸经过介于该些电极表面间的该电极间绝缘层之介层窗(via)；一位于该介层窗中之热绝缘体，系位于该介层窗中之侧壁以界定一绝缘介层窗；以及一可程式化电阻材料其系位于该绝缘介层窗中，并电耦接至该些电极表面。