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发明名称 Flash Memory Cell
摘要 A flash memory cell is disclosed in the specification and drawing. The flash memory cell is described and shown with at least one floating gate heavily doped with P-type ions.
申请公布号 US2009242959(A1) 申请公布日期 2009.10.01
申请号 US20090408933 申请日期 2009.03.23
申请人 LIN CHRONG-JUNG;KING YA-CHIN 发明人 LIN CHRONG-JUNG;KING YA-CHIN
分类号 H01L29/788 主分类号 H01L29/788
代理机构 代理人
主权项
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