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Wafer-Verarbeitungsverfahren, das folgende Schritte umfasst: Halten eines Wafers (20) mit auf seiner Vorderfläche (21) ausgebildeten Bauelementen, so dass eine Rückfläche (22) des Wafers freiliegt; Schleifen der Rückfläche des Wafers zum Ausbilden einer Sprödbruchschicht (Z) auf der Rückfläche; und Polieren der gesamten Rückfläche des Wafers, so dass die Sprödbruchschicht teilweise zurückbleibt. Es ist möglich, die Festigkeit des Wafers zu verbessern und seine Oberflächenrauheit zu verringern, während die Nutzung eines Getterungseffekts ermöglicht wird. Es ist außerdem bevorzugt, nur eine äußerste Schicht der Rückfläche des Wafers zu entfernen. Ferner ist bevorzugt, dass der Wafer zumindest durch eines aus Nasspolieren, Trockenpolieren, Nassätzen und Trockenätzen poliert wird.
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